W9864G6KH-6 DRAM 64Mb, SDR SDRAM, x16, 166MHz, 46nm
♠ Popis produktu
| Atribút produktu | Hodnota atribútu |
| Výrobca: | Winbond |
| Kategória produktu: | DRAM |
| RoHS: | Podrobnosti |
| Typ: | SDRAM |
| Štýl montáže: | SMD/SMT |
| Balenie/puzdro: | TSOP-54 |
| Šírka dátovej zbernice: | 16 bit |
| Organizácia: | 4 M x 16 |
| Veľkosť pamäte: | 64 Mbit |
| Maximálna frekvencia hodín: | 166 MHz |
| Čas prístupu: | 6 ns |
| Napájacie napätie - Max: | 3,6 V |
| Napájacie napätie - Min: | 3 V |
| Napájací prúd - Max: | 50 mA |
| Minimálna prevádzková teplota: | 0 C |
| Maximálna prevádzková teplota: | + 70 °C |
| Séria: | W9864G6KH |
| Značka: | Winbond |
| Citlivé na vlhkosť: | Áno |
| Typ produktu: | DRAM |
| Továrenské množstvo balenia: | 540 |
| Podkategória: | Pamäť a ukladanie dát |
| Hmotnosť jednotky: | 9,175 g |
♠ 1 M ✖ 4 BANKY ✖ 16 BITOV SDRAM
W9864G6KH je vysokorýchlostná synchrónna dynamická pamäť s náhodným prístupom (SDRAM), organizovaná ako 1 milión slov 4 banky 16 bitov.W9864G6KH poskytuje dátovú šírku pásma až 200 miliónov slov za sekundu.Pre rôzne aplikácie je W9864G6KH roztriedený do nasledujúcich rýchlostných stupňov: -5, -6, -6I a -7.Časti triedy -5 môžu bežať až do 200 MHz/CL3.Diely triedy -6 a -6I môžu bežať až do 166 MHz/CL3 (priemyselná trieda -6I, ktorá zaručene podporuje -40 °C ~ 85 °C).Diely triedy -7 môžu bežať až do 143 MHz/CL3 a s tRP = 18 nS.
Prístupy k SDRAM sú orientované zhlukom.Po sebe idúce miesto v pamäti na jednej stránke je možné pristupovať pri dĺžke zhluku 1, 2, 4, 8 alebo celej stránke, keď je banka a riadok vybraté príkazom ACTIVE.Adresy stĺpcov sú automaticky generované interným počítadlom SDRAM v zhlukovej prevádzke.Náhodné čítanie stĺpca je tiež možné poskytnutím jeho adresy v každom taktovom cykle.
Povaha viacerých bánk umožňuje prekladanie medzi internými bankami, aby sa skryl čas prednabíjania. Vďaka programovateľnému registru režimov môže systém meniť dĺžku zhluku, cyklus latencie, prekladanie alebo sekvenčný zhluk, aby sa maximalizoval jeho výkon.W9864G6KH je ideálny pre hlavnú pamäť vo vysokovýkonných aplikáciách.
• 3,3 V ± 0,3 V pre napájanie rýchlostných stupňov -5, -6 a -6I
• 2,7V~3,6V pre napájanie -7 stupňov rýchlosti
• Hodinová frekvencia až 200 MHz
• 1 048 576 slov
• 4 banky
• 16-bitová organizácia
• Samoobnovovací prúd: Štandardný a nízky výkon
• Latencia CAS: 2 a 3
• Dĺžka série: 1, 2, 4, 8 a celá strana
• Sekvenčný a prekladaný zhluk
• Bajtové dáta riadené LDQM, UDQM
• Automatické prednabíjanie a riadené prednabíjanie
• Burst Read, Single Writes Mode
• 4K obnovovacie cykly/64 mS
• Rozhranie: LVTTL
• Balené v TSOP II 54-pin, 400 mil s použitím bezolovnatých materiálov v súlade s RoHS
