SQM50034EL_GE3 MOSFET N-CHANNEL 60-V (DS) 175C MOSFET
♠ Popis produktu
| Atribút produktu | Hodnota atribútu |
| Výrobca: | Vishay |
| Kategória produktu: | MOSFET |
| RoHS: | Podrobnosti |
| Technológia: | Si |
| Štýl montáže: | SMD/SMT |
| Balenie / puzdro: | TO-263-3 |
| Polarita tranzistora: | N-kanál |
| Počet kanálov: | 1 kanál |
| Vds - Prierazné napätie odtokového zdroja: | 60 V |
| Id - Nepretržitý odtokový prúd: | 100 A |
| Rds On - Odpor zdroja odtoku: | 3,2 mOhm |
| Vgs - Napätie zdroja brány: | - 20 V + 20 V |
| Vgs th – Prahové napätie zdroja brány: | 2 V |
| Qg – poplatok za bránu: | 60 nC |
| Minimálna prevádzková teplota: | - 55 °C |
| Maximálna prevádzková teplota: | + 175 °C |
| Pd - Stratový výkon: | 150 W |
| Režim kanála: | Vylepšenie |
| Obchodné meno: | TrenchFET |
| Značka: | Vishay/Siliconix |
| Konfigurácia: | Slobodný |
| Čas na jeseň: | 7 ns |
| Typ produktu: | MOSFET |
| Čas vzostupu: | 7 ns |
| Séria: | SQ |
| Továrenské množstvo balenia: | 800 |
| Podkategória: | MOSFETy |
| Typický čas oneskorenia vypnutia: | 33 ns |
| Typický čas oneskorenia zapnutia: | 15 ns |
| Hmotnosť jednotky: | 0,139332 oz |
• Výkonový MOSFET TrenchFET®
• Obal s nízkym tepelným odporom
• 100 % Rg a UIS testované
• Kvalifikácia AEC-Q101
