SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET -8V Vds 8V Vgs SOT-23
♠ Popis produktu
| Atribút produktu | Hodnota atribútu |
| Výrobca: | Vishay |
| Kategória produktu: | MOSFET |
| Technológia: | Si |
| Štýl montáže: | SMD/SMT |
| Balenie / puzdro: | SOT-23-3 |
| Polarita tranzistora: | P-kanál |
| Počet kanálov: | 1 kanál |
| Vds - Prierazné napätie odtokového zdroja: | 8 V |
| Id - Nepretržitý odtokový prúd: | 5,8 A |
| Rds On - Odpor zdroja odtoku: | 35 mOhm |
| Vgs - Napätie zdroja brány: | - 8 V + 8 V |
| Vgs th – Prahové napätie zdroja brány: | 1 V |
| Qg – poplatok za bránu: | 12 nC |
| Minimálna prevádzková teplota: | - 55 °C |
| Maximálna prevádzková teplota: | + 150 °C |
| Pd - Stratový výkon: | 1,7 W |
| Režim kanála: | Vylepšenie |
| Obchodné meno: | TrenchFET |
| Balenie: | Navijak |
| Balenie: | Odstrihnúť pásku |
| Balenie: | MouseReel |
| Značka: | Vishay Semiconductors |
| Konfigurácia: | Slobodný |
| Čas na jeseň: | 10 ns |
| výška: | 1,45 mm |
| dĺžka: | 2,9 mm |
| Typ produktu: | MOSFET |
| Čas vzostupu: | 20 ns |
| Séria: | SI2 |
| Továrenské množstvo balenia: | 3000 |
| Podkategória: | MOSFETy |
| Typ tranzistora: | 1 P-kanál |
| Typický čas oneskorenia vypnutia: | 40 ns |
| Typický čas oneskorenia zapnutia: | 20 ns |
| šírka: | 1,6 mm |
| Časť # Aliasy: | SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-GE3 |
| Hmotnosť jednotky: | 0,000282 oz |
• Bez halogénov Podľa definície IEC 61249-2-21
• TrenchFET® Power MOSFET
• 100 % Rg testované
• V súlade so smernicou RoHS 2002/95/EC
• Spínač záťaže pre prenosné zariadenia
• DC/DC prevodník
