LM74800QDRRRQ1 3-V až 65-V, automobilový ideálny diódový ovládač poháňajúci NFET 12-WSON -40 až 125
♠ Popis produktu
| Atribút produktu | Hodnota atribútu |
| Výrobca: | Texas Instruments |
| Kategória produktu: | Power Management Specialized - PMIC |
| Séria: | LM7480-Q1 |
| Typ: | Automobilový priemysel |
| Štýl montáže: | SMD/SMT |
| Balenie / puzdro: | WSON-12 |
| Výstupný prúd: | 2A, 4A |
| Rozsah vstupného napätia: | 3 V až 65 V |
| Rozsah výstupného napätia: | 12,5 V až 14,5 V |
| Minimálna prevádzková teplota: | - 40 C |
| Maximálna prevádzková teplota: | + 125 °C |
| Balenie: | Navijak |
| Balenie: | Odstrihnúť pásku |
| Balenie: | MouseReel |
| Značka: | Texas Instruments |
| Vstupné napätie, Max: | 65 V |
| Vstupné napätie, min. | 3 V |
| Maximálne výstupné napätie: | 14,5 V |
| Citlivé na vlhkosť: | Áno |
| Prevádzkové napájacie napätie: | 6V až 37V |
| Typ produktu: | Power Management Specialized - PMIC |
| Továrenské množstvo balenia: | 3000 |
| Podkategória: | PMIC - Power Management IC |
♠ LM7480-Q1 Ideálny diódový ovládač s ochranou proti prepadnutiu záťaže
Ideálny diódový radič LM7480x-Q1 poháňa a riadi externé N-kanálové MOSFETy typu back to back na emuláciu ideálneho diódového usmerňovača s ovládaním ON/OFF a prepäťovou ochranou.Široký vstupný zdroj 3 V až 65 V umožňuje ochranu a ovládanie 12 V a 24 V automobilových ECU napájaných z batérie.Zariadenie dokáže odolať a chrániť záťaž pred záporným napájacím napätím až do –65 V. Integrovaný ideálny diódový ovládač (DGATE) poháňa prvý MOSFET, ktorý nahrádza Schottkyho diódu na ochranu proti spätnému vstupu a udržiavanie výstupného napätia.S druhým MOSFET v napájacej ceste zariadenie umožňuje odpojenie záťaže (ovládanie ON/OFF) a prepäťovú ochranu pomocou ovládania HGATE.Zariadenie je vybavené nastaviteľnou ochranou proti prepätiu.LM7480-Q1 má dva varianty, LM74800-Q1 a LM74801-Q1.LM74800-Q1 využíva blokovanie spätného prúdu pomocou lineárnej regulácie a schémy komparátora oproti LM74801-Q1, ktorá podporuje schému založenú na komparátore.S konfiguráciou Common Drain výkonových MOSFETov môže byť stredný bod použitý pre návrhy OR s použitím inej ideálnej diódy.LM7480x-Q1 má maximálne menovité napätie 65 V. Záťaže môžu byť chránené pred rozšírenými prechodnými prepätiami, ako je 200-V nepotlačený pokles záťaže v 24-V batériových systémoch, konfiguráciou zariadenia s externými MOSFET v topológii Common Source
• AEC-Q100 kvalifikovaný pre automobilové aplikácie
– Teplotný stupeň zariadenia 1:
Rozsah prevádzkovej teploty okolia –40°C až +125°C
– Úroveň klasifikácie HBM ESD zariadenia 2
– Zariadenie CDM ESD klasifikácie úrovne C4B
• Vstupný rozsah 3 V až 65 V
• Reverzná ochrana vstupu až do –65 V
• Poháňa externé N-kanálové MOSFETy typu back-to-back v konfiguráciách spoločného zberu a spoločného zdroja
• Ideálna diódová prevádzka s 10,5 mV A až C doprednou reguláciou poklesu napätia (LM74800-Q1)
• Nízky prah spätnej detekcie (–4,5 mV) s rýchlou odozvou (0,5 µs)
• 20-mA špičkový prúd hradla (DGATE).
• 2,6-A špičkový vypínací prúd DGATE
• Nastaviteľná prepäťová ochrana
• Nízky vypínací prúd 2,87 µA (EN/UVLO=Nízky)
• Spĺňa požiadavky na prechodové javy pre automobilový priemysel ISO7637 s vhodnou diódou TVS
• Dostupné v priestorovo úspornom 12-pinovom balení WSON
• Ochrana automobilovej batérie
– radič domény ADAS
– ECU fotoaparátu
– Hlavná jednotka
– USB HUB
• Aktívny ORing pre redundantné napájanie
