Ovládače brány VNLD5090TR-E OMNIFET III plne chránia lo-side drvr
♠ Popis produktu
| Atribút produktu | Hodnota atribútu |
| Výrobca: | STMicroelectronics |
| Kategória produktu: | Ovládače brány |
| RoHS: | Podrobnosti |
| Produkt: | IC ovládača - rôzne |
| Typ: | Low-Side |
| Štýl montáže: | SMD/SMT |
| Balenie/puzdro: | SOIC-8 |
| Počet vodičov: | 1 Vodič |
| Počet výstupov: | 2 Výstup |
| Výstupný prúd: | 18 A |
| Napájacie napätie - Min: | 4,5 V |
| Napájacie napätie - Max: | 5,5 V |
| Čas vzostupu: | 10 nás |
| Čas na jeseň: | 2,7 nás |
| Minimálna prevádzková teplota: | - 40 C |
| Maximálna prevádzková teplota: | + 150 °C |
| Séria: | VNLD5090-E |
| kvalifikácia: | AEC-Q100 |
| Balenie: | Navijak |
| Balenie: | Odstrihnúť pásku |
| Balenie: | MouseReel |
| Značka: | STMicroelectronics |
| Maximálny čas oneskorenia vypnutia: | 3,4 nás |
| Maximálny čas oneskorenia zapnutia: | 8 nás |
| Citlivé na vlhkosť: | Áno |
| Prevádzkový napájací prúd: | 30 uA |
| Typ produktu: | Ovládače brány |
| Rds On - Odpor zdroja odtoku: | 90 mOhm |
| Vypnúť: | Vypnúť |
| Továrenské množstvo balenia: | 2500 |
| Podkategória: | PMIC - Power Management IC |
| Technológia: | Si |
| Hmotnosť jednotky: | 150 mg |
♠ OMNIFET III plne chránený nízkopodlažný menič pre automobilové aplikácie
VNLD5090-E je monolitické zariadenie vyrobené technológiou STMicroelectronics® VIPower®, určené na pohon odporových alebo indukčných záťaží s jednou stranou pripojenou k batérii.Zabudované tepelné vypnutie chráni čip pred prehriatím a skratom.Obmedzenie výstupného prúdu chráni zariadenie v stave preťaženia.V prípade dlhodobého preťaženia zariadenie obmedzí stratový výkon na bezpečnú úroveň až po zásah tepelného vypnutia. Tepelné vypnutie s automatickým reštartom umožňuje zariadeniu obnoviť normálnu prevádzku hneď, ako poruchový stav zmizne.Rýchla demagnetizácia indukčných záťaží sa dosiahne pri vypnutí.
·Kvalifikácia AEC-Q100
·Odtokový prúd: 13 A
·ESD ochrana
·Prepäťová svorka
·Tepelná odstávka
·Obmedzenie prúdu a výkonu
·Veľmi nízky pohotovostný prúd
·Veľmi nízka elektromagnetická citlivosť
·V súlade s európskou smernicou 2002/95/EC
