MOSFET NCV8402ADDR2G 42V2A
♠ Popis produktu
| Atribút produktu | Hodnota atribútu |
| Výrobca: | onsemi |
| Kategória produktu: | MOSFET |
| RoHS: | Detaily |
| Technológia: | Si |
| Štýl montáže: | SMD/SMT |
| Balenie / Puzdro: | SOIC-8 |
| Polarita tranzistora: | N-kanál |
| Počet kanálov: | 2 kanály |
| Vds - Prierazné napätie medzi odtokom a source: | 55 V |
| Id - Trvalý odtokový prúd: | 2 A |
| Rds On - Odpor medzi odtokom a zdrojom: | 165 mOhmov |
| Vgs - Napätie medzi bránou a zdrojom: | - 14 V, + 14 V |
| Vgs th - Prahové napätie medzi bránou a zdrojom: | 1,3 V |
| Qg - hradlový náboj: | - |
| Minimálna prevádzková teplota: | -55 °C |
| Maximálna prevádzková teplota: | +150 °C |
| Pd - Strata energie: | 800 mW |
| Režim kanála: | Vylepšenie |
| Kvalifikácia: | AEC-Q101 |
| Balenie: | Navijak |
| Balenie: | Odstrihnite pásku |
| Balenie: | MouseCevka |
| Značka: | onsemi |
| Konfigurácia: | Jednotlivec |
| Typ produktu: | MOSFET |
| Séria: | NCV8402AD |
| Množstvo v balení z výroby: | 2500 |
| Podkategória: | MOSFETy |
| Typ tranzistora: | 2 N-kanálový |
| Hmotnosť jednotky: | 0,002610 unce |
♠Dvojitý samoochranný nízkonapäťový budič s obmedzením teploty a prúdu
NCV8402D/AD je inteligentné diskrétne zariadenie s dvojitou ochranou na strane low-side. Medzi ochranné funkcie patrí ochrana proti nadprúdu, prehriatiu, ESD a integrovaná ochrana Drain-to-Gate pre prepäťovú ochranu. Toto zariadenie ponúka ochranu a je vhodné pre náročné automobilové prostredie.
• Ochrana proti skratu
• Tepelné vypnutie s automatickým reštartom
• Ochrana pred prepätím
• Integrovaná svorka pre indukčné spínanie
• Ochrana pred elektrostatickým výbojom
• Robustnosť dV/dt
• Možnosť analógového pohonu (logická úroveň vstupu)
• Predpona NCV pre automobilový priemysel a iné aplikácie vyžadujúce jedinečné požiadavky na lokalitu a zmenu riadenia; spĺňa normu AEC-Q101 a je kompatibilný s PPAP
• Tieto zariadenia neobsahujú olovo, halogény/brómované free fruktózne zlúčeniny a sú v súlade s smernicou RoHS
• Spínanie rôznych odporových, induktívnych a kapacitných záťaží
• Môže nahradiť elektromechanické relé a diskrétne obvody
• Automobilový / Priemyselný
