IDW30G120C5BFKSA1 Schottkyho diódy a usmerňovače SIC CHIP/DISCRETE
♠ Popis produktu
| Atribút produktu | Hodnota atribútu |
| Výrobca: | Infineon |
| Kategória produktu: | Schottkyho diódy a usmerňovače |
| RoHS: | Podrobnosti |
| Produkt: | Schottkyho diódy z karbidu kremíka |
| Štýl montáže: | Cez dieru |
| Balenie / puzdro: | TO-247-3 |
| Konfigurácia: | Spoločná katóda s dvojitou anódou |
| Technológia: | SiC |
| Ak - Dopredný prúd: | 30 A |
| Vrrm - Opakované spätné napätie: | 1,2 kV |
| Vf - Dopredné napätie: | 1,4 V |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 240 A |
| Ir - spätný prúd: | 17 uA |
| Minimálna prevádzková teplota: | - 55 °C |
| Maximálna prevádzková teplota: | + 175 °C |
| Séria: | IDW30G120C5 |
| Balenie: | Trubica |
| Značka: | Infineon Technologies |
| Pd - Stratový výkon: | 332 W |
| Typ produktu: | Schottkyho diódy a usmerňovače |
| Továrenské množstvo balenia: | 240 |
| Podkategória: | Diódy a usmerňovače |
| Obchodné meno: | CoolSiC |
| Vr - Reverzné napätie: | 1,2 kV |
| Časť # Aliasy: | IDW30G120C5B SP001123716 |
| Hmotnosť jednotky: | 1,340411 oz |
·Revolučný polovodičový materiál – karbid kremíka
·Žiadny spätný obnovovací prúd / Žiadne dopredné zotavenie
·Spínanie nezávislé od teploty
·Nízke priepustné napätie aj pri vysokej prevádzkovej teplote
·Tesná distribúcia napätia vpred
·Vynikajúci tepelný výkon
·Rozšírená schopnosť nárazového prúdu
·Špecifikovaná dv/dt robustnosť
·Kvalifikovaný podľa JEDEC1) pre cieľové aplikácie
·pokovovanie olovom bez obsahu olova;V súlade s RoHS
·Solárne invertory
·Neprerušiteľné zdroje napájania
·Motorové pohony
·Korekcia účinníka
