FDC6303N MOSFET SSOT-6 N-CH 25V

Výrobcovia: ON Semiconductor

Kategória produktu: Tranzistory – FET, MOSFET – polia

Dátový hárok:FDC6303N

Popis: MOSFET 2N-CH 25V 0,68A SSOT6

Stav RoHS: V súlade s RoHS

Detail produktu

Atribút produktu	Hodnota atribútu
Výrobca:	onsemi
Kategória produktu:	MOSFET
RoHS:	Podrobnosti
Technológia:	Si
Štýl montáže:	SMD/SMT
Balenie / puzdro:	SSOT-6
Polarita tranzistora:	N-kanál
Počet kanálov:	2 kanál
Vds - Prierazné napätie odtokového zdroja:	25 V
Id - Nepretržitý odtokový prúd:	680 mA
Rds On - Odpor zdroja odtoku:	450 mOhm
Vgs - Napätie zdroja brány:	- 8 V + 8 V
Vgs th – Prahové napätie zdroja brány:	650 mV
Qg – poplatok za bránu:	2,3 nC
Minimálna prevádzková teplota:	- 55 °C
Maximálna prevádzková teplota:	+ 150 °C
Pd - Stratový výkon:	900 mW
Režim kanála:	Vylepšenie
Balenie:	Navijak
Balenie:	Odstrihnúť pásku
Balenie:	MouseReel
Značka:	onsemi / Fairchild
Konfigurácia:	Dvojaký
Čas na jeseň:	8,5 ns
Dopredná transkonduktancia - Min:	0,145 S
výška:	1,1 mm
dĺžka:	2,9 mm
Produkt:	MOSFET Malý signál
Typ produktu:	MOSFET
Čas vzostupu:	8,5 ns
Séria:	FDC6303N
Továrenské množstvo balenia:	3000
Podkategória:	MOSFETy
Typ tranzistora:	2 N-kanál
Typ:	FET
Typický čas oneskorenia vypnutia:	17 ns
Typický čas oneskorenia zapnutia:	3 ns
šírka:	1,6 mm
Časť # Aliasy:	FDC6303N_NL
Hmotnosť jednotky:	0,001270 oz